Для увеличения емкости компьютерных устройств для хранения информации исследователи из Кореи и Австралии использовали трехмерный пакет наночастиц золота.
Флеш-память, в настоящее время использующаяся в картах памяти телефонов и цифровых фотоаппаратов, а также USB-устройств, обычно содержит только один слой микроприборов, улавливающих электрический заряд и кодирующих цифровую информацию. Для «выхода из плоскости» группы Янг-Сик Ли (Jang-Sik Lee) из Университета Кукмин (Сеул) и Франка Карузо из Университета Мельбурна использовали наночастицы металла, отложенные на чередующихся слоях изолятора – полимера, построенного на основе кремнийорганических соединений, покрытых слоем оксида гафния. Ли отмечает, что такой подход к созданию флеш-памяти позволяет увеличить плотность хранимой информации в 3.6 раза по сравнению с обычными однослойными приборами.
Исследователи использовали отрицательно заряженные наночастицы золота, которые легко отделяются друг от друга благодаря электростатическому отталкиванию. Толщина многослойной композиции составляет менее чем 20 нм на один слой.
Исследователи уверены, что изменение pH, ионной силы и природы наночастиц, образующих многослойную структуру, позволит производителям настроить плотность и производительность приборов для памяти соответственно предъявляемым требованиям. Например, использование наночастиц платины вместо наночастиц золота позволяет достичь многослойной композиции плотность, большую чем 1010 активных зарядов на квадратный сантиметр.
